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高層任命、聯(lián)合CEO遞交辭呈、股價大跌、停牌……12小時內(nèi)的連串事件發(fā)生在中芯國際（688981）身上，令外界始料未及。

12月16日早間9點許，中芯國際再發(fā)公告提示了梁孟松可能辭任的可能性：董事會注意到有關(guān)公司執(zhí)行董事及聯(lián)合首席執(zhí)行官梁孟松博士擬辭任公司職務(wù)的消息，并且公司已知悉梁博士其有條件辭任的意愿。公司目前正積極與梁博士核實其真實辭任之意愿……。

時間倒回至12小時前的事發(fā)源頭。12月15日晚10點40許，中芯國際董事會宣布又一重量級人物回歸：蔣尚義獲委任為公司董事會副董事長、第二類執(zhí)行董事及戰(zhàn)略委員會成員，自2020年12月15日起生效。在此之前，蔣尚義在臺積電亦先后擔任研發(fā)副總裁、首席運營官（COO）等職。

梁孟松提出辭呈并非沒有預(yù)兆。在董事會表決通過關(guān)于委任副董事長、執(zhí)行董事的議案中，梁孟松已投出了無理由投棄權(quán)票。但董事會認為，蔣尚義符合執(zhí)行董事任職資格，能夠勝任所聘崗位的職責要求，其提名程序符合有關(guān)法律、法規(guī)和公司章程的規(guī)定。

隨后，一封梁孟松致董事會信函內(nèi)容亦被傳出，信中提及些許辭任原因：蔣先生即將出任公司副董事長一職。對此，我感到十分錯愕與不解，因為我事前對此事毫無所悉。我深深的感到已經(jīng)不再被尊重與不被信任……

本次事件終將如何演變？對中芯國際又意味著什么？“公司管理層人事變動，還請以公司發(fā)布公告為準?！敝行緡H方面對證券時報·e公司記者回應(yīng)稱。截止11點30分，AH總市值逾2000億的中芯國際A股大跌7.05%，港股仍處于停牌之中。

曾被稱為影響全球晶圓廠格局的男人

生于1952年的梁孟松，現(xiàn)年68歲，畢業(yè)于美國加州大學伯克利分校電機工程及電腦科學系并取得博士學位。在半導(dǎo)體業(yè)界有著逾三十四年經(jīng)歷，從事儲存器以及先進邏輯制程技術(shù)開發(fā)，擁有逾450項半導(dǎo)體專利，曾發(fā)表技術(shù)論文350余篇。

翻看梁孟松職業(yè)生涯，這位被譽為“影響全球晶圓廠格局的男人”先后于臺積電、三星、中芯國際擔任要職。

在1992年至2009年，梁孟松曾任臺積電資深研發(fā)處長，負責和參與臺積電先進制程技術(shù)，期間，梁孟松參與了臺積電從130nm直至16nm FinFET工藝的歷代先進工藝的開發(fā)；彼時他也是臺積電發(fā)明專利多的研發(fā)人員之一。

張忠謀之后在談到梁孟松看法時，曾語帶惋惜地表示，2008年知道梁要離開臺積電時，曾很努力要留住人，但終究未能如愿。

之后，梁孟松赴與三星關(guān)系密切的成均館大學任職，2011年正式加盟三星。三星的晶圓代工技術(shù)在梁孟松加入之后有突飛猛進的進步，制程由32納米/28納米平面工藝直接跨入14納米FinFET工藝，并于2014年底開始量產(chǎn)，因此一戰(zhàn)成名。 

但同時他也陷入到了與臺積電的相關(guān)訴訟之中，之后便離開了三星。在大陸官方的三顧茅廬、盛情邀請下，2017年10月，梁孟松接下先進制程技術(shù)的兵符，出任中芯國際聯(lián)合CEO。

在上述流出的信函中，梁孟松這樣總結(jié)了在中芯國際的這三年：在這1000多個日子里，我?guī)缀鯊奈葱菁伲踔猎?019年6月份，當我正在經(jīng)歷著生命中危險的時刻，都從來沒有放棄、 也沒有辜負過諸位對我的囑托。這段期間，我盡心竭力完成了從28nm到7nm，共五個世代的技術(shù)開發(fā)。這是一般公司需要花十年以上的時間才能達成的任務(wù)。而這些成果是由我?guī)ьI(lǐng)的2000多位工程師，日以繼夜、賣命拼搏得來的。當然，董事長和諸位董事過往的信任與支持也是成功的關(guān)鍵要素。 

“我來中國大陸本來就不是為了謀取高官厚祿，只是單純的想為大陸的高端集成電路盡一份心力。目前，28nm, 14nm, 12nm, 及n+1等技術(shù)均已進入規(guī)模量產(chǎn)，7nm技術(shù)的開發(fā)也已經(jīng)完成，明年四月就可以馬上進入風險量產(chǎn)。5nm和3nm的關(guān)鍵、也是艱鉅的8大項技術(shù)也已經(jīng)有序展開， 只待EUV光刻機的到來，就可以進入全面開發(fā)階段。目前看來，我的短期目標，似乎已經(jīng)超預(yù)期、圓滿的達成了?！毙藕@示。

事起蔣尚義回歸中芯國際

回看本次中芯國際的高層任命主角，蔣尚義亦為半導(dǎo)體業(yè)界風云人物，并且資歷更老。蔣尚義現(xiàn)年74歲，1968年于國立臺灣大學獲電子工程學學士學位，1970年于普林斯頓大學獲電子工程學碩士學位，1974年于斯坦福大學獲電子工程學博士學位。畢業(yè)后，他曾在德州儀器和惠普公司工作。其后，于1997年返回臺灣，任臺積電研發(fā)副總裁。于2013年底退休時，蔣尚義的職位是共同首席運營官。

在半導(dǎo)體工業(yè)界的45年中，他曾參與研發(fā)CMOS、NMOS、Bipolar、DMOS、SOS、SOI、GaAs 鐳射、LED、電子束光刻、矽基太陽能電池等項目。在臺積電期間，蔣尚義牽頭了0.25μm、0.18μm、0.15μm、0.13μm、90nm、65nm、40nm、28nm、20nm及16nm FinFET等關(guān)鍵節(jié)點的研發(fā)，使臺積電的行業(yè)地位從技術(shù)跟隨者發(fā)展為技術(shù)引領(lǐng)者。

在退休后，蔣尚義還曾擔任臺積電董事長顧問。蔣尚義已非首次牽手中芯國際，他曾于2016年12月20日至2019年6月21日擔任公司獨立非執(zhí)行董事。

在2019年6月離開中芯國際后，蔣尚義曾短暫出任武漢弘芯半導(dǎo)體制造有限公司首席執(zhí)行官。但之后隨著武漢弘芯項目陷入停擺，蔣尚義的情況也一度受到外界關(guān)注。

對此，他在今年11月17日公開發(fā)布聲明稱：已于今年6月因個人原因辭去武漢弘芯的董事、總經(jīng)理及CEO等一切職務(wù)，武漢弘芯也已經(jīng)接受了蔣尚義遞交的辭呈；且其自辭職后于7月已不支薪且不再擔任武漢弘芯的任何職務(wù)。

蔣尚義近一次對外表態(tài)時曾談到，其對半導(dǎo)體仍有很強烈的熱情，并且熱衷先進封裝技術(shù)和小芯片（Chiplet）?！艾F(xiàn)在中芯國際的先進制程技術(shù)已經(jīng)做到14nm、N+1、N+2，相信在中芯國際實現(xiàn)我在先進封裝和系統(tǒng)整合的夢想，可以比在弘芯快至少4-5年。”他說。

蔣尚義此前在多次公開發(fā)言中也透露了先進封裝的重要性。他認為，在摩爾定律接近物理極限的當下，半導(dǎo)體創(chuàng)新需要投入的研發(fā)成本越來越高，但回報周期也在拉長。為了應(yīng)對產(chǎn)業(yè)的變化以電路技術(shù)提升的瓶頸，他認為，應(yīng)該通過集成系統(tǒng)提升芯片之間的緊密行，使其性能優(yōu)于單一芯片，降本增效。

然而，令外界不曾想到的是，蔣尚義的回歸，竟然直接導(dǎo)致了梁孟松的辭任。根據(jù)公司招股書披露，梁孟松的新任期為2019年6月至2022年6月。

是否還有回旋余地？

有半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士向證券時報·e公司記者分析稱，梁孟松的辭職原因或許比較復(fù)雜；其中之一或是由于外部環(huán)境因素影響，中芯國際未來發(fā)展先進制程的步伐成未知數(shù)，特別是EUV光刻機若無法到位，中芯國際短期或?qū)⒅共接?nm。而蔣尚義想要推動的先進封裝技術(shù)與小芯片技術(shù)方向被認為或許是個技術(shù)上的突破口。

這點在梁孟松上述信函中開頭也有所提及：目前，中芯國際正面臨著美國的種種打壓，導(dǎo)致先進工藝的發(fā)展受到嚴重威脅。我認為，今天這個人事提案必然會關(guān)系到公司的前景。

“我是在12月9號，上星期三早上，接獲董事長電話告知：蔣先生即將出任公司副董事長一職。對此，我感到十分錯愕與不解，因為我事前對此事毫無所悉。我深深的感到已經(jīng)不再被尊重與不被 信任。我覺得，你們應(yīng)該不再需要我在此繼續(xù)為公司的前景打拼奮斗了。我可以暫時安心的休息片刻?！绷好纤烧J為。

“確實很突然，實在沒想到，梁孟松會提出辭呈，蔣尚義在業(yè)內(nèi)的輩份與資歷很高，以‘既生瑜、何生亮’的心態(tài)來看此事或許不必?！绷碛邪雽?dǎo)體制造業(yè)人士這樣認為。

上述事件是否還有回旋余地，目前尚未可知。

資料顯示，中芯國際是全球領(lǐng)先的集成電路晶圓代工企業(yè)之一，也是中國大陸技術(shù)先進、規(guī)模、配套服務(wù)完善、跨國經(jīng)營的專業(yè)晶圓代工企業(yè)，主要為客戶提供0.35微米至14納米多種技術(shù)節(jié)點、不同工藝平臺的集成電路晶圓代工及配套服務(wù)。中芯國際自去年四季度開始量產(chǎn)14nm。公司先進工藝（28nm/14nm）業(yè)務(wù)收入占比從2017年第三季度的8.8%提升至今年第三季度的14.6%。

梁孟松此前在第三季度電話會議上表示，目前14nm良率已達業(yè)界量產(chǎn)水準。第二代先進工藝技術(shù)“N+1”正在做客戶產(chǎn)品驗證，已進行小量試產(chǎn)。相比一代，第二代14nm性能提升20%，功率減少57%，邏輯面積減少63%，集成系統(tǒng)面積減少55%。